化学清洗可以有效对付氧化

点击次数:   更新时间:16/01/06 16:59:01     来源:www.stqxgs.com关闭分    享:
  年关将至,对于我们很多人的传统,在这之前,一定要对使用的设备、机械等有个好的清理,便于来年的使用。因此更多的清洗方式被应用,而化学清洗自始至终一直是我们喜欢的,因为它可以更好的处理我们常见的也是难以处理的氧化问题。
  氧化反应可以在空气中发生,或者是在有氧存在的加热的化学品清洗池中。举例来说,一般在清洗池中生成的氧化物,肃然薄(100-200),但其厚度足以阻止晶片表面在其它的工艺过程中发生正常的反应。这一薄层的氧化物可成为绝缘体,从而阻挡晶片表面与导电的金属层之间良好的电性接触。去除这些薄的氧化层是很多工艺的。有一层氧化物的硅片表面叫做具有吸湿性。没有氧化物的表面叫做具有憎水性。氢氟酸是去除氧化物的首选酸。在初始氧化之前,当晶片表面只有硅时,将其放入盛有最强的氢氟酸(49%)的池中清洗。氢氟酸将氧化物去除,却不刻蚀硅片。
  在后面的工艺中,当晶片表面覆盖着之前生成的氧化物时,用水和氢氟酸的混合溶液可将圆形的孔隙中的薄氧化层去除。这些溶液的强度从100:1到10:7(H2O:HF)变化。对于强度的选择依赖于晶片上氧化物的多少,因为水和氢氟酸的溶液既可晶片上孔中的氧化物刻蚀掉,又可将表面其余部分的氧化物去除。既要保证将孔中的氧化物去除,同时又不会过分地刻蚀其它的氧化层,就要选择一定的强度。典型的稀释溶液是1:50到1:100。
  清洗方式有很多,我们要根据实际情况的不同选择不同的清洗方式,虽然化学清洗可以有效的处理氧化问题,但并不意味着它可以在所有的方面得到应用,所以选择的重要性不言而喻。

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